西安电子科技大学研制出柔性紫光LED

By | 2020年7月25日

  西安电子科技年夜学微电子学院郝跃院士团队揭示了可剥离衬底上氮化物的成核机制,翻新性开收回柔性高亮度紫光发光二极管,相干钻研效果正在国内权势巨子期刊《Advanced
Optical Materials》上宣布。

  GaN基半导体LED照明具备高效、节能、环保、寿命长、易保护等优点,是人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一场照明反动。跟着可穿戴技巧的倒退,将来柔性半导体技巧将逐渐成为支流,柔性GaN
的制备成为现今国内高度存眷的钻研热点。

  因为年夜尺寸的氮化物衬底老本昂扬,氮化物薄膜一般为基于蓝宝石、硅等异质资料衬底进行内涵成长。而晶体衬底与氮化物之间存正在重大的晶格失配,使患上内涵GaN
薄膜内具备很年夜的应力,并孕育发生泛滥的穿透位错,从而招致LED器件发光效率升高。因而,低应力、高品质的GaN薄膜的制备关于LED功能的晋升显患上尤其首要。

  今朝,激光剥离技巧是制备柔性GaN的次要办法,然而激光能量密度散布没有平均使患上氮化镓薄膜崛起决裂,很可贵到年夜面积延续无损的氮化镓薄膜,使患上GaN的柔性器件倒退遭到重大障碍。

  该团队钻研并发现了氮化物正在石墨烯上的抉择性成核机理,找到了AlN的最好成核位点,胜利制备出高品质、无应力的GaN内涵层。并经过优化剥离工艺,完成了GaN内涵层的低伤害、年夜面积剥离转移。基于该柔性GaN资料制备的紫光发光二极管正在小电流下完成了超高光输入功率。钻研效果证实了剥离转移能够完成GaN基柔性照明和LED正在将来完成高品质垂直构造的可能性。

  钻研效果宣布于:Yanqing Jia, Jincheng Zhang,* Jing Ning, Dong Wang, Yue Hao et al.,
Advanced Optical Materials, 2019, DOI:10.1002/adom.201901632. 《Advanced Optical
Materials》是光学畛域的国内顶级期刊,属于SCI一区TOP期刊。

编纂:严志祥

起源:西安电子科技年夜学