研究人员在硅上开发高功率GaN VLED

By | 2020年7月25日

  乾照光电以及武汉年夜学钻研职员示意,他们正在4英寸p型硅衬底上开收回高功率,牢靠的基于GaN的垂直LED(VLED)。他们应用具备SiO
2电流拦阻层的优化金属化计划完成了这一指标。别的,经过KOH湿法刻蚀对VLED的发射外表进行外表纹理解决,进步光提取效率。

  堆积的金属化计划会正在湿润的环境中蜿蜒并分层,这是VLED牢靠性的次要存眷的成绩。正在这项宣布正在《光学快报》上的钻研中,钻研职员证实,经过正在Ag /
TiW薄膜四周堆积Pt / Ti维护层来维护界面免受环境湿度的影响,能够进步金属化牢靠性。

  金属触点排汇的光是LED中光损耗源的一种起源。但是,因为半导体层的非理想导电性,年夜少数电流拥堵正在电极左近,招致正在电极焊盘四周的发射部分化。

  钻研职员标明,经过正在p电极下拔出SiO 2电流拦阻层能够年夜年夜减缓“电流拥堵” 。仿真后果标明,采纳SiO 2电流拦阻层时,电流散布愈加平均。


图2.(a)L-LED以及V-LED的光学显微镜图象。(b)正在具备SiO2
CBL的L-LED,V-LED以及V-LED的有源层中模仿的电流密度散布。(c)较量争论沿(b)中虚线的电流密度散布。

  钻研职员还行使KOH湿法化学蚀刻技巧对VLED的发射外表进行纹理化解决,以进步光提取效率。应用KOH溶液湿法刻蚀后,高度集成的外表纹理包罗周期性的半球形凹痕以及六边形金字塔。时域无限差分(FDTD)模仿标明,这类外表形状不只缩小了菲涅耳反射,并且使光以较宽的散布向外散射,从而进步了光提取效率。

编纂:严志祥

起源:里手说